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QLED旋涂溶液

QD solutions for QLED、Zn(Mg)O solutions for QLED


量子點電致發光二極管(QLED),因量子點材料的光色純、波長可調等優點,成為一種新型顯示技術材料,旋涂制備QLED不僅可以評估量子點材料性能,也是大面積制備照明器件的基礎工藝。

星爍憑借著數十年在納米材料領域的深耕,扎實的量子點材料合成技術,在QLED領域取得了矚目的成就,為客戶提高高質量產品和相關的配套服務,及工藝應用過程整體解決方案。

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Zn(Mg)O納米粒子


Zn(Mg)O因禁帶寬度較大(3.7 eV)、對可見光的吸收較弱(透過率超過98%)且束縛能較高等特點,常被用作各種發光器件的電子運輸材料。通過摻雜Mg來調節禁帶寬度,改變電子注入勢壘,促進電子和空穴的注入平衡,提高發光效率。

星爍專利ZnMgO,可以提高電子注入的勢壘和平衡載流子的注入,搭配星爍量子點,通過旋涂納米顆粒ZnMgO溶液制備的紅、綠、藍QLED,外量子效率分別超過18%,15%,8%。

外量子效率(EQE)為ZnMgO搭配對應QD制作成器件(QLED)后測試出的數據。

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Zn(Mg)O

SolventParticle SizeConcentrationNPs Amount Cat NO.
Ethanol ≈5nm 25 mg /mL 50 mg Zn(Mg)O-50
Ethanol ≈5nm 25 mg/mL 100 mg Zn(Mg)O-100
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Cd-based QDs

ColorPL EmissionFWHMQYEQEAmount Cat NO.
Blue 465±5nm <25nm >65% >8% 25/50/100mg Cd-based B QLED-465
Green 525±5nm <25nm >80% >15% 25/50/100mg Cd-based G QLED-525
Red 625±5nm <28nm >85% >18% 25/50/100mg Cd-based R QLED-625
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InP-based QDs

ColorPL EmissionFWHMQYEQEAmount Cat NO.
Green 525±5nm <45nm >60% >10% 25/50/100mg InP-based G QLED-525
Red 625±5nm <45nm >60% >10% 25/50/100mg InP-based R QLED-625
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ZnSe-based QDs

ColorPL EmissionFWHMQYEQEAmount Cat NO.
Blue 450±20 nm <25nm >50% >8% 25/50/100mg ZnSe-based B QLED-450
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